Les normes de RAM sont maintenant en train de passer à l’ère de la DDR5, ce qui apporte de nombreuses améliorations et une augmentation considérable des performances par rapport à la DDR4 Cependant, la DDR et son parent GDDR plus rapide ne sont pas vraiment aussi rapides que la norme HBM (mémoire à large bande passante), qui, selon le PDG de SK Hynix, Seok-Hee Lee, pourrait être à la base de la fusion naturelle entre les processeurs et la RAM.

Lors du symposium international de physique de la fiabilité de l’Institute of Electrical and Electronics Engineers, Seok-Hee Lee a présenté sa vision d’un standard de mémoire plus rapide qui exigerait une «convergence de la mémoire et de la logique »Lee présente une évolution plus progressive à partir de HBM:

Au fur et à mesure que la vitesse a été augmentée dans la mémoire à bande passante élevée en augmentant le nombre de canaux entre le processeur et la mémoire, la vitesse augmentera encore dans Processing Near Memory (PNM), où le processeur et la mémoire existent en un seul module La vitesse augmentera encore dans le traitement en mémoire (PIM), où le processeur et la mémoire existent dans un seul package En fin de compte, la vitesse augmentera encore dans le calcul en mémoire (CIM), où le processeur et la mémoire sont intégrés dans une seule puce, pour fournir un système informatique haute performance.

SK Hynix est actuellement le deuxième plus grand fabricant de mémoire au monde, mais il ne fabrique aucun autre type de puces comme les processeurs Ainsi, le PDG Lee appelle à une collaboration entre les géants des semi-conducteurs afin de former un écosystème capable de soutenir les nouveaux hybrides CPU RAM: «Ce n’est qu’en établissant un partenariat stratégique pour l’Open Innovation basé sur la collaboration et le partage avec les clients, les fournisseurs, les universités et le gouvernement, nous pouvons façonner une nouvelle ère, qui poursuit une valeur à la fois économique et sociale »

Lee a également présenté un nouveau standard appelé Compute Express Link (CXL) qui pourrait compléter le bus PCIe La mémoire CXL est capable de déplacer des données plus rapidement et plus efficacement entre le processeur et les accélérateurs graphiques / de calcul ou les interfaces réseau intelligentes «La mémoire CXL est en cours de préparation en tant que solution qui non seulement augmente la bande passante et la capacité, mais réalise également la valeur d’une mémoire persistante, [] une solution pour réduire l’écart entre les performances de la mémoire et les exigences de l’industrie »

Dernier point mais non le moindre, Lee a évoqué les efforts déployés pour améliorer les puces de mémoire NAND intégrées dans les solutions de stockage SSD. Avec le passage aux nœuds de 10 nm et moins, SK Hynix pourrait éventuellement produire des puces NAND de 600 couches, ce qui devrait considérablement augmenter la capacité de stockage et les vitesses de transfert de données par rapport au plafond actuel de 176 couches.

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Actualités – Go – Fusion entre CPU et RAM proposée par le PDG de SK Hynix

Source: https://www.notebookcheck.net/Merger-between-CPUs-and-RAM-proposed-by-SK-Hynix-CEO.528998.0.html

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