Samsung présente un module de mémoire DDR5 de 512 Go pour sa conception, le fabricant coréen a utilisé des connecteurs TSV (via silicium via) Cette technologie lui a permis d’empiler 8 couches de puces DRAM de 16 Go

Moreover, afin de réduire la dispersion de courant, phénomène intensifié par une fine couche diélectrique, Samsung a misé sur la technologie HKMG (High Quality Metal Gate). Ce procédé consiste à utiliser un matériau hautement isolant au lieu du dioxyde de silicium classique. According to the company, cela se traduit par une réduction de la consommation de 13% par rapport aux appareils plus anciens. Notez que Samsung a introduit la technologie HKMG en 2018 avec ses périphériques de mémoire GDDR6.

In terms of performance, Samsung a déclaré que le module de mémoire de 512 Go atteint une vitesse maximale de 7200 Mo / s, is “plus du double de la valeur DDR4

Logically, ce type de produit n’est pas destiné à nos ordinateurs fixes. In fact, Samsung cibleles supercalculateurs, l’intelligence artificielle (HE) et l’apprentissage automatique (ML), ainsi que les applications d’analyse de données”.

Young-Soo Sohn, vice-président de la mémoire DRAM chez Samsung Electronics, said: «Samsung est la seule société de semi-conducteurs disposant des capacités logiques, des capacités matérielles et de l’expérience nécessaires pour intégrer la technologie pionnière de HKMG dans le développement de produits de mémoire. En introduisant ce type de processus de fabrication de DRAM, nous pouvons fournir à nos clients des solutions de mémoire hautes performances et écoénergétiques pour alimenter les ordinateurs nécessaires à la recherche médicale, aux marchés financiers et à la conduite autonome dans et derrière les villes intelligentes

A déclaré Caroline Doran, vice-présidente et directrice générale des activités de mémoire chez Intel, has explained: «Avec le volume de données nécessaire pour transférer, stocker et traiter autant de données, la transition vers la DDR5 est à un tournant critique pour les centres de données et serveurs cloud. »

Samsung teste actuellement des solutions DDR5 avec ses partenaires. Finally, il déclare que la prise en charge de la DDR5 dans ses centres de données sera soutenue par le lancement des processeurs AMD EPYC Genoa et Intel Xeon Scalable Sapphire Rapids.

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Dynamic RAM, Samsung Group, DDR4 SDRAM, High-High diélectrique

News – WITH – Samsung a développé un module de mémoire DDR5 de 512 Go

Source: https://www.tomshardware.fr/samsung-a-mis-au-point-une-barrette-memoire-ddr5-de-512-go/

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